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3D XPoint : Intel et Micron inventent une mémoire 1000x plus rapide
Intel et Micron annoncent une vraie révolution pour les technologies de stockage de données. Après des années de recherche, les deux firmes présentent une invention baptisée 3D XPoint. Une découverte qui devrait remplacer en peu de temps la mémoire NAND utilisée par les supports flash, mais également par les appareils mobiles comme l’iPhone ou l’iPad. Les deux entreprises n’ont pas encore tout révélé du fonctionnement de ce système, mais annoncent déjà des performances grandiloquentes. La transformation de chaque élément de stockage s’effectuera 1000 fois plus rapidement, et les cycles supportés seront 1000 fois plus nombreux. Chaque unité de stockage mesurera 128 Go, et la densité sera multipliée par 10. En d’autres termes, cette nouvelle mémoire est 1000x plus rapide. Selon Intel, cette technologie est la première révolution dans le secteur de la mémoire depuis 1989. Autant dire qu’il s’agit d’une nouvelle de la plus haute importance. La production a déjà débuté, et le 3D Xpoint sera commercialisé dès 2016 pour un prix qui…